纳米线LED照明潜力大 未来五年或实现商用化

根据丹麦哥本哈根大学(University of Copenhagen)玻尔研究所(Niels Bohr Institute;NBI)的纳米年或研究证实，采用纳米线制成的照明LED只需使用更少的能源，就能提供更明亮的潜力光源。

OFweek电子工程网讯：根据丹麦哥本哈根大学(University of Copenhagen)玻尔研究所(Niels Bohr Institute;NBI)的实现商用研究证实，采用纳米线制成的纳米年或LED只需使用更少的能源，就能提供更明亮的照明光源。

研究人员深入研究了利用X射线显微术的潜力纳米线，透过这种方法，实现商用研究人员们能够确定如何设计纳米线使其得以提供最佳性能。纳米年或这项研究结果发表在《ACS Nano》科学期刊。照明

纳米线大小约仅2微米高(μm;1μm是潜力1/1000毫米)，直径约10-500纳米(nm，实现商用1nm约1/1000μm)。纳米年或专为LED用的照明纳米线是由内部的氮化镓(GaN)核心以及外层氮化镓铟(InGaN)所组成，二者都是潜力半导体材料。

这种二极管的光源有赖于存在两种材料之间的机械应变，而这种应变则大幅取决于两种材料层之间如何彼此接触。丹麦哥本哈根大学教授兼玻尔研究所所长Robert Feidenhansl解释，我们研究了多种采用X射线显微术的纳米线，甚至是原则上相同的纳米线，我们可以看到其间的差异及其相当不同的结构。

相关的研究是在位于德国汉堡的“德国电子同步加速器研究所”(DESY)电子同步加速器中利用纳米级X射线显微术进行。虽然这种方法相当耗时，而且结果通常十分有限或甚至仅能满足单一研究主题。然而，利用纳米级X射线的特殊设计，可使纳米线在过程中不至于被破坏，从而使研究人员得以顺利地同时测量一系列的纳米线。

纳米线LED照明潜力大 未来五年或实现商用化

每个纳米线的X射线影像显示散射强度的分布，以及在氮化镓核心与氮化镓铟外层的机械应变。根据这种应变显示外层与核心完美契合

“我们测量了20种纳米线，而当我们看到影像时都非常讶异，因为你可以清楚地看到每一种纳米线的细节，包括核心与外层这两种结构。如果结构中有任何缺陷或略微弯曲，就无法正常运作。所以，我们可以准确地找出哪些是最优质的纳米线，而且具有最高效率的核心/外壳结构，”哥本哈根大学玻尔研究所“中子与X射线散射”研究小组的博士生Tomas Stankevic解释。

Robert Feidenhans’l则表示，纳米线将为LED带来更自然的光源，而且还将使用更低的功耗。此外，它们还可以应用于智能手机、电视机以及各种形式的照明中。

研究人员预计，这种纳米线LED照明可五年内实现商用化。

每个纳米线的X射线影像显示散射强度的分布，以及在氮化镓核心与氮化镓铟外层的机械应变。根据这种应变显示外层与核心完美契合

“我们测量了20种纳米线，而当我们看到影像时都非常讶异，因为你可以清楚地看到每一种纳米线的细节，包括核心与外层这两种结构。如果结构中有任何缺陷或略微弯曲，就无法正常运作。所以，我们可以准确地找出哪些是最优质的纳米线，而且具有最高效率的核心/外壳结构，”哥本哈根大学玻尔研究所“中子与X射线散射”研究小组的博士生Tomas Stankevic解释。

Robert Feidenhans’l则表示，纳米线将为LED带来更自然的光源，而且还将使用更低的功耗。此外，它们还可以应用于智能手机、电视机以及各种形式的照明中。

研究人员预计，这种纳米线LED照明可五年内实现商用化。

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